Options Mon compte Next INpact
Affichage
Modifications sauvegardées
  • Smileys
  • Images
  • Commentaires par actu
  • Commentaires sous les news
  • Désactiver la version mobile
  • Taille de police
Close

Vous consultez la version mobile de ce contenu.

Cliquez ici pour être redirigé vers la version complète, ou attendez 5 secondes. Fermez ce pop-up pour continuer sur la version mobile.

5
secondes
Bilan du Flash Memory Summit 2018 : SSD QLC, 4D NAND, MRAM et Xtacking
Stockage Crédits : jamesbenet/iStock

Bilan du Flash Memory Summit 2018 : SSD QLC, 4D NAND, MRAM et Xtacking

Seagate innove avec... DuraWrite
16 min

Chaque année au début du mois d'août se tient le Flash Memory Summit à Santa Clara. Ce salon dédié à la mémoire flash, et donc aux SSD par extension, vient de fermer ses portes. Durant trois jours, de nombreuses annonces y ont été faites, dont voici le récapitulatif.

La star de cette année était sans aucun doute la NAND QLC (Quad Level Cell) avec quatre bits par cellule. Les fabricants multiplient les annonces sur ce sujet depuis des mois maintenant, mais des produits sont cette fois enfin là, notamment chez Samsung et Intel.

Un nouvel acteur – Yangtze Memory Technologies – veut « révolutionner » le monde de la NAND 3D grâce à son procédé de fabrication Xtacking. SK Hynix joue la surenchère et, après la 3D NAND, il présente sa... 4D NAND. Everspin et IBM s'associent pour dévoiler un SSD avec de la MRAM (mémoire magnétique), tandis que SiliconMotion présente un contrôleur compatible Open-Channel. De son côté, Western Digital expose son architecture OpenFlex où « chaque ressource doit pouvoir évoluer indépendamment ».

Enfin, Seagate répondait aussi présent avec des SSD Nytro 1000 exploitant la technologie DuraWrite présentée comme unique... alors qu'elle était déjà utilisée (sous le même nom) par SandForce il y a plusieurs années.

Un SSD QLC de 4 To chez Samsung

Cet article est réservé à nos membres abonnés.

Publiée le 10 août 2018 à 09:05


Chargement des commentaires